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       光刻是集成電路制造中的一道關鍵工藝，它是利用光化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到一個襯底（晶圓）上，使選擇性的刻蝕和離子注入成為可能。光刻是微納器件制備過程中的一個至關重要的環(huán)節(jié)；不管是半導體器件、光電器件，還是微米/納米機電系統(tǒng)的制備都離不開光刻工藝[1]。

特別是在超大規(guī)模集成電路的制造中，正是因為光刻設備、材料和工藝的發(fā)展，才使得集成電路上的器件能越做越小，芯片的集成度越來越高，單個晶體管的平均造價越來越低。

　　光刻工藝的基本流程如圖1所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤是的光化學反應更充分。最后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，是的曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯(lián)機作業(yè)的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響[1]。

圖 1 現(xiàn)代光刻工藝的基本流程和光刻后的檢測步驟

參考文獻：

[1] 韋亞一，超大規(guī)模集成電路先進光刻理論與應用，科學出版社，2016.06，1-1,4-4

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