發(fā)布時(shí)間:2023-02-08 | 游覽:2907
內(nèi)容摘要:日本把微電子生產(chǎn)中所采用的氣體,按其不同的品位,具體分為下列幾個(gè)不同的檔次。
日本把微電子生產(chǎn)中所采用的氣體,按其不同的品位,具體分為下列幾個(gè)不同的檔次。
超高純氣體 氣體中雜質(zhì)總含量控制在1ppm以下,水份含量控制在0.2~1ppm。
高純氣體 氣體中雜質(zhì)總含量控制在5%ppm以下,水份含量控制在3 ppm以內(nèi).
潔凈氣體 氣體中雜質(zhì)總含量控制在10 ppm以下,對(duì)水份含量未作嚴(yán)格規(guī)定。
一、高純氣體的重要標(biāo)度
通常,高純氣體系指氣體中含較少雜質(zhì)氣氛(純度),微量水份(干燥度)污染物粒子的婁量保持在最低限度,其粒度也應(yīng)是最小的(潔凈度)。因此,對(duì)于高純氣體,純度、干燥度、潔凈是三項(xiàng)重要的標(biāo)度。
特別是近10年來(lái),隨著更復(fù)雜、更密集的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的生產(chǎn),對(duì)高純氣體潔凈度的要求,其重要程度已不亞于對(duì)純度和干燥度有嚴(yán)格要求的用氣工藝,無(wú)一不對(duì)其中的粒子提出限制。
二、控制粒子污染的重要性
對(duì)于控制粒子污染的重要性,在集成電路生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)部門已經(jīng)有所認(rèn)識(shí),同時(shí),實(shí)踐已向人們表明,氣體的粒子可造成微日子產(chǎn)品的短路或斷路,改變半導(dǎo)體材料的電性能,也可以破壞其晶格結(jié)構(gòu),影響印刷板的復(fù)制等等。這些破壞性因素中的任何一個(gè),無(wú)可導(dǎo)致集成電路失效的嚴(yán)重后果。通常,粒子的粒徑小到1微米的十分之幾,便可造成斷路,而更小的鑿子,便函可使線路工作降級(jí)。所以,防止粒子污染,在微電子技術(shù)中是十分嚴(yán)格的。迄今,在純凈氣體應(yīng)用技術(shù)中,對(duì)于大流量高純氣體輸送系統(tǒng),美國(guó)已有輸送含0。1μm以上粒子,每立方英尺氣體中不超過(guò)10個(gè)的能力;它還為幾個(gè)系統(tǒng)輸送含有0.02μm以上粒子的氣體,其粒子數(shù)每立方英尺不超過(guò)10個(gè)。三、潔凈度控制的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定 由于高純度體的使用地點(diǎn)、性質(zhì)、關(guān)況(如溫度、壓力等)都不完全一致,所以,如何確定高純氣體的“三度”(純度、干燥度、潔凈度),還沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格而明確的概念。 對(duì)于純度和干燥度的控制,我國(guó)CBJ73—84《潔凈廠房設(shè)計(jì)規(guī)范》中指出,“高純氣體系指純度大于或等于99.9995%,含水量小于5ppm氣體。”
上述規(guī)定,都未涉及潔凈度。我們知道,集成電路的生科,有相當(dāng)一部分 是在潔凈,是防止法埃粒子污染微電子產(chǎn)品所必需的。所以,對(duì)潔凈的生產(chǎn)環(huán)境絕不允許采用不潔凈的氣體來(lái)破壞,必須使氣體的潔凈度與潔凈環(huán)境保持一致。為此,在下列法規(guī)和資料中,都作了相應(yīng)的明確規(guī)定。
《空氣潔凈技術(shù)措施》
這是1979年3月由國(guó)家建委科教局批準(zhǔn)實(shí)施的,其中對(duì)工業(yè)氣體的使用作了這樣的規(guī)定:“潔凈室內(nèi)使用權(quán)用的各種氣體,如氮?dú)?、氧氣、氫氣、氬氣和壓縮空氣等,其含塵濃度不應(yīng)高于該潔凈室所規(guī)定的含水量法濃度”。在該技術(shù)措施中,把潔凈室的含塵濃度按每升環(huán)境空氣中所含粒子數(shù)量,分為5個(gè)級(jí)別,即3級(jí)、30級(jí)、300級(jí)、3000級(jí)和30000級(jí)。各級(jí)分別是每升空氣中含粒徑≥0.5μm的塵粒平均數(shù)不超過(guò)3粒、30粒、300粒、3000粒和30000粒。
平均值是指工作人員在正常操作時(shí),在工作區(qū)平面連續(xù)一段時(shí)間內(nèi),測(cè)得的含塵濃度的算術(shù)平均值。
該技術(shù)措施是我國(guó)正式公布的第1個(gè)潔凈技術(shù)方面的有關(guān)規(guī)定,它由于與實(shí)踐中通常采用的“美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209”在級(jí)別的表示方法上完全不同,不僅使人們不習(xí)慣,而且由于其內(nèi)容落后于高速發(fā)展的微電子生產(chǎn)的技術(shù)要求,所以,它未被真正實(shí)施和推廣。
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