發(fā)布時(shí)間:2019-10-11 | 游覽:1811
內(nèi)容摘要:現(xiàn)在,含氟蝕刻氣體是一把無形的“刀”,被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體或LCD前段制程,甚至可以在微米厚的薄膜上刻出納米級(jí)的溝槽。
現(xiàn)在,含氟蝕刻氣體是一把無形的“刀”,被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體或LCD前段制程,甚至可以在微米厚的薄膜上刻出納米級(jí)的溝槽。你能腦補(bǔ)那個(gè)畫面嗎?
那么,含氟蝕刻氣體都有哪些?它們又是如何進(jìn)行工作的呢?
蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、全氟丁二烯、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。
含氟蝕刻氣體是電子氣體的一個(gè)重要分支,是超大規(guī)模集成電路、平面顯示器件、太陽能電池,光纖等電子工業(yè)生產(chǎn)不可或缺的原材料,廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝。在國家發(fā)展改革委《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2011年本)(修正)》中,電子氣體被列入國家重點(diǎn)鼓勵(lì)發(fā)展的產(chǎn)品和產(chǎn)業(yè)目錄。其主要種類見表1。
表1
蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉, 而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來, 這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是, 圖形邊緣整齊, 線條清晰, 圖形變換差小, 且對(duì)光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無損傷和鉆蝕。
蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制精確、方便、無脫膠現(xiàn)象、無基片損傷和沾污, 所以其應(yīng)用范圍日益廣泛。
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